RF主流製程技術與趨勢分析
摘要
SiGe高頻特性良好,適合RF電路設計,電流驅動力高,元件雜訊特性良好,電路整合性高,適合系統單晶片設計,並可在CMOS的基礎下發展,直接運用現行的矽材料的晶圓廠,開發費用和投資設備費用可以大幅節制,確實展現出一極具潛力的利基市場。
通訊晶片各材料製程比較
Source:拓墣產業研究所,2003/07
SiGe高頻特性良好,適合RF電路設計,電流驅動力高,元件雜訊特性良好,電路整合性高,適合系統單晶片設計,並可在CMOS的基礎下發展,直接運用現行的矽材料的晶圓廠,開發費用和投資設備費用可以大幅節制,確實展現出一極具潛力的利基市場。
通訊晶片各材料製程比較
Source:拓墣產業研究所,2003/07
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