2023-05-17 拓墣產業研究院

全球InP產業發展現狀剖析

焦點報告化合物半導體

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作為化合物半導體材料，InP(磷化銦)半導體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、資料中心、新一代顯示、人工智慧、無人駕駛、航太等領域具有廣闊的應用前景。

目前InP材料主要用於製造光子元件和微波射頻元件，其在光子領域具有波長1,000nm以上的發射和探測能力，同時在高頻射頻應用中具有高速和低雜訊優勢。本篇報告主要圍繞InP最關鍵的光子元件應用市場進行深入探討。

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