高頻時代關鍵元件-砷化鎵
摘要
砷化鎵(GaAs)化合物半導體元件憑藉其相對於矽元件(Si)的高輸出功率、低耗電量、高電子遷移率、低噪音,以及不易失真等優越特性,使其在通訊高頻元件上有大量的使用,並憑藉其特殊製程在未來的元件整合趨勢中依然佔有不可撼動的地位。)。
砷化鎵與矽元件特性比較
Source:統一投顧、拓墣產業研究所,2003/06
砷化鎵(GaAs)化合物半導體元件憑藉其相對於矽元件(Si)的高輸出功率、低耗電量、高電子遷移率、低噪音,以及不易失真等優越特性,使其在通訊高頻元件上有大量的使用,並憑藉其特殊製程在未來的元件整合趨勢中依然佔有不可撼動的地位。)。
砷化鎵與矽元件特性比較
Source:統一投顧、拓墣產業研究所,2003/06
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