2013-03-12 拓墣產業研究院

2012～2016年TSV滲透率預估

圖表資料 IC製造與封測

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摘要

對於TSV的物理規格終於在2012年有詳細的規範，但是對於該使用何種方式來達到此規範，仍舊是各憑本事。目前主流的鑽孔技術各有優缺點，重點在三大方向：(1)維持高品質的導孔；(2)提高寬高比；(3)增加鑽孔速度。TSV的滲透率在2016年約可達15%，其影響的範圍包含前段的蝕刻與後段的封裝，但大部分的設備與材料都掌握在外商手上。

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