2013年與2014上半年力成與南茂產品比重分布
摘要
Samsung已在2014年8月以20nm製程、TSV堆疊技術開始量產64GB DDR4伺服器用DRAM模組,未來記憶體封裝更會朝向異質整合的方向前進;但在3D異質整合封裝上,仍有一定程度的挑戰。由於TSV 3D技術進入到晶圓等級,未來最先進技術可能掌握在製造廠手中而非封測廠內,TSV技術並非封測廠的主力戰場,因此拓展產品線、積極服務客戶並與製造廠垂直合作,是封測廠的重要方向。
Samsung已在2014年8月以20nm製程、TSV堆疊技術開始量產64GB DDR4伺服器用DRAM模組,未來記憶體封裝更會朝向異質整合的方向前進;但在3D異質整合封裝上,仍有一定程度的挑戰。由於TSV 3D技術進入到晶圓等級,未來最先進技術可能掌握在製造廠手中而非封測廠內,TSV技術並非封測廠的主力戰場,因此拓展產品線、積極服務客戶並與製造廠垂直合作,是封測廠的重要方向。
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