2017~2019年基地台設備市占變化情形
摘要
由於基地台設備需具備較大傳輸功率、使用頻率及耐高溫等特性,GaN材料十分適合應用於此。對現行基地台發展趨勢而言,GaN HEMT結構將逐漸取代舊有Si晶圓製造的LDMOS元件,且隨著4G LTE及5G基地台持續佈建,後續營收發展亦將逐步增長。
由於基地台設備需具備較大傳輸功率、使用頻率及耐高溫等特性,GaN材料十分適合應用於此。對現行基地台發展趨勢而言,GaN HEMT結構將逐漸取代舊有Si晶圓製造的LDMOS元件,且隨著4G LTE及5G基地台持續佈建,後續營收發展亦將逐步增長。
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