微影系統的基本元素
摘要
進入20nm世代，電晶體線寬將微縮至30nm以下，已超越目前主流浸潤式微影方案的解析度極限(約為3xnm)，台積電、GlobalFoundries等正在投資建置20nm產線的晶圓廠，皆已相繼導入雙重曝光(Double Patterning)技術。一旦採用雙重甚至三重曝光，將增加晶圓製作流程的時間，不僅生產成本倍增，良率也會隨之下降，勢將延宕先進製程開發速度。因此，業界才會對解析度可朝30nm以下規格延伸，並能單次曝光的極紫外光(EUV)微影技術寄予厚望；而EUV主要設備供應商ASML更是責無旁貸，務須跨越相關技術門檻，以延續Moore's Law。
