新技術可發展的最高單位儲存容量
摘要
由於市場對儲存容量需求日益增加,推動硬碟朝向大容量發展為必然趨勢,目前在大容量硬碟儲存技術發展著重在晶格介質紀錄(BPM)、熱輔助磁性紀錄(HARM)與分離磁道紀錄(DTR)這3種次世代新技術。上述3種技術理論上可將硬碟單位儲存密度推升至1Tbit/in2以上,而硬碟在性能上缺陷也可以透過單位儲存密度的成長獲得改善。目前廠商積極在新技術的佈局卡位,除了企圖鞏固硬碟在大容量儲存的競爭優勢,也有向消費者宣示1TB容量以上的硬碟時代正式來臨。
由於市場對儲存容量需求日益增加,推動硬碟朝向大容量發展為必然趨勢,目前在大容量硬碟儲存技術發展著重在晶格介質紀錄(BPM)、熱輔助磁性紀錄(HARM)與分離磁道紀錄(DTR)這3種次世代新技術。上述3種技術理論上可將硬碟單位儲存密度推升至1Tbit/in2以上,而硬碟在性能上缺陷也可以透過單位儲存密度的成長獲得改善。目前廠商積極在新技術的佈局卡位,除了企圖鞏固硬碟在大容量儲存的競爭優勢,也有向消費者宣示1TB容量以上的硬碟時代正式來臨。
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