晶圓製造與封裝之邊界重新畫分
摘要
在平面電晶體線寬已推進至20nm,立體的FinFET設計也導入商用量產,而EUV的量產仍在開發階段,各界再度將焦點轉向由封裝著手晶片微縮的3D IC,但3D IC的導入將可能強烈影響晶圓廠與封裝廠原有的邊界與生態。
在平面電晶體線寬已推進至20nm,立體的FinFET設計也導入商用量產,而EUV的量產仍在開發階段,各界再度將焦點轉向由封裝著手晶片微縮的3D IC,但3D IC的導入將可能強烈影響晶圓廠與封裝廠原有的邊界與生態。
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