GaN、SiC發展趨勢與新技術應用

摘要

第三代半導體SiC、GaN在廠商競合關係中持續滲入功率半導體市場,在市場追求高壓、高功率應用需求下,GaN-on-Si HEMT已可於1.2kV下應用;SiC元件則是在2024~2025年陸續導入8吋晶圓量產,以降低元件單位成本。此外,許多廠商透過新技術和材料,有望大幅減少SiC和GaN元件成本,預計2025~2026年導入量產;其中,若得以實現平價的GaN基板,將有望許多GaN元件廠不僅研發HEMT元件產品,亦得以導入GaN垂直元件的研發。透過垂直元件架構可使GaN元件的耐受電壓和功率表現達到水平式HEMT無法觸及的境界。鑒於GaN和SiC在電壓應用重疊範圍的擴大,預計可陸續看到結合2種半導體特性優勢的新產品,呈現更優異的功率元件表現。

 

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