2023-09-12 拓墣產業研究院

全球化合物半導體襯底材料發展格局

焦點報告化合物半導體

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摘要

隨著電動汽車、通訊、智慧感測、可再生能源等產業的迅速發展，以高頻、高功率應用為主的化合物半導體需求持續高漲。砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)是主要的化合物半導體材料，相較於主流的矽，這些半導體材料在禁帶寬度、電子遷移率、擊穿場強等物理性能方面分別具備一定優勢，能承受更高的功率、頻率與溫度，非常適合RF、功率、光電子等領域。本篇報告以關鍵的上游襯底材料作為切入點，探討化合物半導體產業發展狀況。

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