化合物半導體關鍵設備發展動態

摘要

縱觀化合物半導體產業鏈,高品質外延層的製備對元件性能至關重要,現階段商業化外延設備主要有MOCVD(金屬有機化合物化學氣相沉積)、MBE(分子束外延)與HTCVD(高溫化學氣相沉積)三類,另外的HVPE設備則多由廠商自行搭建。從技術角度看,MOCVD/MBE設備服務於大多數III-V族化合物半導體,例如GaAs/GaN/InP元件;HTCVD則專門用於製造Si/SiC元件。

 

化合物半導體關鍵設備發展動態

 

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