震後調查更新,台灣晶圓代工、DRAM產能均無嚴重影響
TrendForce針對403震後台灣各半導體廠地震後的動態更新,由於本次台灣403大地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區域,加上台灣的半導體工廠多以高規格興建,內部的減震措施都是世界頂尖水準,多半可以減震1至2級。以本次的震度來看,幾乎都是停機檢查後,迅速復工進行,縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管,導致線上晶圓破片或是毀損報廢,但由於目前成熟製程廠區產能利用率平均皆在50~80%,故損失大多可以在復工後迅速將產能補齊,產能損耗算是影響輕微。
DRAM方面,以位於新北的南亞科(Nanya)Fab3A有影響;美光(Micron)林口廠生產營運和供應鏈影響程度則仍在評估中。南亞科該廠區主責20/30nm製程的產品,最新製程1Bnm正在開發中;美光林口廠與台中廠為DRAM重要生產基地,內部系統已將二個廠區合而為一,目前已有最新1beta nm製程的投片,後續也將有HBM在台灣生產仍需數日時間完全恢復運作,其餘廠區多半在停機檢查後陸續復工。力積電(PSMC)、華邦電 (Winbond)等均無恙。
晶圓代工方面,台積電(TSMC)包含Fab2/3/5/8等多座六吋及八吋廠、研發總部Fab12,以及最新的Fab20寶山工廠均位在震度4級的新竹。其中,僅Fab12因水管破裂造成部分機台進水,主要影響在尚未量產的2nm製程,因此評估短期營運不受影響,但可能因機台受潮需要新購機台,造成資本支出小幅度增加。其餘廠區在停機檢查後已陸續復工,暫無重大災損,而其餘廠區個別有人員疏散或執行停機檢查,現均已陸續恢復運作。
目前產能利用率較高的台積電5/4/3nm先進製程廠區,未進行人員疏散,停機檢查已在震後6~8小時恢復90%以上運作,影響仍在可控範圍。CoWoS廠區方面,目前主要運作廠區龍潭AP3及竹南AP6,事發當下立即進行人員疏散,停機檢查後發現廠務冰水主機有水損問題,但廠務系統多有備援設施,評估不影響運作,已陸續復工。
此外,聯電(UMC)一座六吋廠及六座八吋廠均位在新竹,另有一座十二吋廠位在台南,以90~22nm量產為主;力積電(PSMC)包含十二吋DRAM與八吋、十二吋Foundry皆位在新竹苗栗一帶,其中DRAM以25/21nm製程利基型產品為主;世界先進(Vanguard)共三座八吋廠位於新竹,一座八吋廠位於桃園。上述廠區多半在人員疏散、短暫停機檢查後陸續恢復運作。