第三代半導體產業競爭深化:SiC震盪促GaN垂直整合加速布局

摘要

本篇報告針對SiC市場波動帶動GaN廠商加快垂直整合步伐,從材料、設計到製造一體化逐一剖析,探究暨深化產品競爭力與通訊、資料中心、高效電源等市場機會,並洞悉Infineon、Navitas、EPC與Transphorm等關鍵廠商布局和產品路線。

一. 產業格局轉變,SiC優勢動搖與GaN契機浮現
二. 創造不對稱優勢,解構關鍵廠商共振策略
三. 拓墣觀點

圖一 2024~2030年全球GaN功率半導體市場規模預估
圖二 2025年GaN 功率器件市場分布預估(按器件類型)
圖三 2025年GaN功率器件市場分布預估(按產品電壓等級)

表一 GaN HEMT技術參數比較(部分代表性元件)
表二 2025、2027年GaN應用市場對應與滲透率預估

 

第三代半導體產業競爭深化:SiC震盪促GaN垂直整合加速布局

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